• Главная
  • Ваш заказ (корзина)
  • О нас
  • Новости
  • Каталог
  • Каталог Autonics

  • Autonics

  • Autonics NEW

  • + Каталог Delta Electronics
  • + Каталог Приводная техника - Электропривод
  • BM - компактные, BMS - высокоскоростные

    BM Компактный, легкий и самый популярный фотоэлектрический датчик:

    BM Компактный, легкий и самый популярный фотоэлектрический датчик:

    • Простая установка даже в узких местах благодаря небольшим размерам и легкому весу
    • Легкая регулировка чувствительности с помощью внешнего управления (только для диффузного на отражение типа датчиков)
    • Легкая установка в специально предназначенное отверстие осуществима с помощью винта
    • Встроенная защита от обратной полярности
    технические характеристики:
    • Тип: Двухкомпонентный, на просвет. Зеркального типа, на отражение. Диффузный на отражение
    • Зона чувствительности: 3м, (*1) 0.1-1 м, (*2) 200 мм
    • Минимальный определяемый объект: Непрозрачные материалы мин.D 8мм. Прозрачный, полупрозрачный, непрозрачный материал
    • Время срабатывания: Макс. 3 мс
    • Источник питания: 12-24 В= ±10% (максимально допустимая погрешность 10%)
    • Потребление тока: Макс.40 мА, макс.45 мА
    • Источник света: Инфракрасный светодиод (регулируемый)
    • Регулировка чувствительности: Фиксирована, Регулируется потенциометром
    • Режим работы: Срабатывание на затемнение, Срабатывание на свет
    • Выход управления: NPN тип с открытым коллектором; напряжение нагрузки: макс 30В=; ток нагрузки: макс. 100мА; остаточное напряжение: макс. 1В
    • Схема защиты: от неправильной полярности
    • Индикатор: Срабатывания: красный светодиод
    • Подсоединение: Выходной кабель
    • Вибрация: 1.5 мм амплитуда при частоте 10-55 Гц по каждому из направлений X,Y,Z за 2 часа
    • Ударопрочность: 500 м/кв с в направлении X,Y,Z за 3 интервала
    • Помехоустойчивость: ±240В прямоугольное колебание (ширина импульса:1мсек.) имитатора помех
    • Диэлектрическая прочность: 1.000 В~ 50/60 Гц за 1 мин.
    • Сопротивление изоляции: Мин.20 МОм (при 500 В=)
    • Освещение: Солнечный свет: макс. 11, 000 люксов, лампа накаливания: макс.3,000 люксов
    • Температура окруж.среды: -10~+60 С (хранения: -25~+70 С) при не замерзающем состоянии
    • Влажность: 35~85%, хранения: 35~85%
    • Материал: Корпус: ABS, линзы: PMMA
    • Кабель: 4P, D4 мм, длина: 2 м
    *(*1)зона чувствительности между датчиком и отражателем MS-2, такая же, как при использовании MS-5, менее 0.1 м
    *(*2)матовая, белая бумага (100х100 мм)

    BMS Фотоэлектрический датчик с высокой скоростью ответной реакции и со встроенной схемой защиты выхода:

    BMS Фотоэлектрический датчик с высокой скоростью ответной реакции и со встроенной схемой защиты выхода:

    • Встроенная защита от обратной полярности и перегрузки по току.
    • Высокая скорость ответной реакции: менее 1 мс
    • Установка режима срабатывания на свет или затемнение с помощью управляющего провода
    • Встроенная регулировка с помощью потенциометра (VR) (за исключением датчиков двухкомпонентного (на просвет) типа)
    технические характеристики:
    • Тип: Двухкомпонентный, на просвет. Зеркального типа, на отражение. Диффузный, на отражение
    • Зона чувствительности: 5м, (*1) 0.1-2 м, (*2) 300 мм
    • Минимальный определяемый объект: Непрозрачные материалы мин.D 10 мм.
    • Непрозрачные материалы мин.D 60 мм. Прозрачные, полупрозрачные и непрозрачные материалы
    • Время срабатывания: Макс. 1 мс
    • Источник питания: 12-24 В= ±10% (максимально допустимая погрешность 10%)
    • Потребление тока: макс.50 мА, макс.45 мА
    • Источник света: Инфракрасный светодиод (регулируемый)
    • Регулировка чувствительности: Потенциометром (VR)
    • Режим работы: Реагирование на затемнение, реагирование на свет. Устанавливается с помощью управляющего провода
    • Выход управления: NPN тип с открытым коллектором; напряжение нагрузки: макс 30В=; ток нагрузки: макс. 200мА; остаточное напряжение: макс. 1В. PNP тип с открытым коллектором. Выходное напряжение: (мин.-2.5 В), Ток нагрузки: макс. 200 мА
    • Схема защиты: от неправильной полярности и короткого замыкания
    • Индикатор: индикатор включения (красный светодиод), индикатор срабатывания (красный светодиод) (BMS5M-TDT1)
    • Подсоединение: Выходной кабель
    • Вибрация: 1.5 мм амплитуда при частоте 10-55 Гц по каждому из направлений X,Y,Z за 2 часа
    • Ударопрочность: 500 м/кв с в направлении X,Y,Z за 3 интервала
    • Помехоустойчивость: ±240В прямоугольное колебание (ширина импульса:1мсек.) от устройства помех
    • Диэлектрическая прочность: 1000 В~ 50/60 Гц за 1 мин.
    • Сопротивление изоляции: Мин.20 МОм (при 500 В=)
    • Освещение: Солнечный свет: макс. 11, 000 люксов, лампа накаливания: макс.3,000 люксов (поступающий свет)
    • Температура окруж.среды: -10~+60 С (хранения: -25~+70 С) при не замерзающем состоянии
    • Влажность: 35~85%, хранения: 35~85%
    • Степень защиты: IP67 ( стандарт IEC)
    • Материал: Корпус: ABS, линзы: акриловые (для типа ретро на отражение: PC)
    • Кабель: 4P, D5 мм, длина: 2 м (датчик типа двухкомпонентный на просвет - источник: D5 мм, 2P длина: 2 м)
    (*1) зона чувствительности между датчиком и отражателем MS-2, такая же, как при использовании отражателя
    MS-5 и двухкомпонентного (на просвет) датчика, а именно имеется возможность воспринимать объект находящийся на расстоянии менее 0.1 м
    (*2) матовая белая бумага (100 х 100 мм)

    BM, BMS

    Название Цена Количество
    BM1M-MDT Фото датчик с отражателем, норм. вкл., NPN, 1м, вкл. на темное, 12-24VDC 29.70
    BM200-DDT Фото датчик диффузионный, NPN, нормально вкл. , 200 мм, регулировка чувствительности, вкл. На светл 29.70
    BM200-DDTN Фото датчик NPN, нормально вкл., 200мм, диффузный с узким лучём, 12-24VDC 43.50
    BM3M-TDT Фото датчик пересечения луча, норм. вкл., NPN, 3м, вкл. на темное, 12-24VDC 29.70
    BM3M-TDT1 Фото датчик NPN, нормально вкл., 3м, пересечение луча, 12-24VDC 40.70
    BM3M-TDT2 Фото датчик NPN, нормально вкл., 3м, пересечение луча, 12-24VDC 40.70
    BMS200-DDTN Фото датчик NPN, NO+NC, 200мм, диффузный с узким лучём, 12-24VDC 43.50
    BMS200-DDTN-P Фото датчик PNP, NO+NC, 200мм, диффузный с узким лучём, 12-24VDC 43.50
    BMS2M-MDT Фото датчик NPN, NO+NC, 2м, с отражателем, 12-24VDC 29.70
    BMS2M-MDT-P Фото датчик PNP, NO+NC, 2м, с отражателем, 12-24VDC 29.70
    BMS300-DDT Фото датчик NPN, NO+NC, 300мм, диффузный, 12-24VDC 29.70
    BMS300-DDT-P Фото датчик PNP, NO+NC, 300мм, диффузный, 12-24VDC 29.70
    BMS5M-TDT Фото датчик пересечения луча, норм. вкл., NPN, 3м, вкл. на темное\светлое, 12-24VDC 35.70
    BMS5M-TDT-P Фото датчик пересечения луча, норм. вкл., PNP, 5м, вкл. на темное\светлое, 12-24VDC 35.70
    BMS5M-TDT1 Фото датчик NPN, NO+NC, 5м, пересечение луча, 12-24VDC 48.90
    BMS5M-TDT2 Фото датчик NPN, NO+NC, 5м, пересечение луча, 12-24VDC 48.90

    Документация (скачать)

    Загрузка файлов

    Телефон/Факс : +7 (495) 984-51-05 (Москва), +7 (812) 640-46-90 (Санкт-Петербург), E-mail: info@matrixgroup.su.